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返回菊花以组培快繁为目标好选茎尖、茎段、花蕾为外植体培养增殖效果好。选取用扦插苗培育的无病虫害、健壮的植株，在其上取材，可保持其优良品种特性。在取材前2~3周，将入选株置于温室内培养，不要对叶面喷水，这样能够提高灭菌的成功率。接种前切取带腋芽的茎段或未开的花蕾，这时花瓣外有一层薄膜包着，里面是无菌的。灭菌处理时茎尖的嫩叶不要剥得太干净，以免伤口面暴露太大，使茎尖受到过大的损害。灭菌茎段除去叶片，只留一小段叶柄。
材料初步切割后，用洗衣粉水漂洗三次，用自来水冲净后，将其放入含有三滴吐温的0.1%升汞溶液中消毒12分钟，并不时摇动，然后用镊子将其夹入含三滴吐温的8%次氯酸钠溶液中浸泡8分钟（超净工作台上）并不时摇动。于无菌水中漂洗二次后待用。切割将茎切去1小段，这样可减少灭菌药物的毒害。切除茎尖上的幼叶；若是蕾须剥去花被，露出里面半球形的花序轴，再视其大小纵切4~6块，接种到诱导培养基中。生长及分化外植体经培养后，一般20～40天茎尖处可分生出新芽，茎断的叶腋处也会萌发出丛生芽，基部生长的愈伤组织也会分化出新芽。而花蕾外植体经过15～20天的培养，会形成愈伤组织；再经过20～30天的培养，愈伤组织就会分化出较多的丛生芽。将从以上外植体诱导分化出的丛生芽，分切成数块放入增殖培养基中继代培养。
开始分化率和分化苗的数量都较小，随继代次数增加，分生苗很快就能够增多起来。增殖的方式除诱导丛生芽增殖外，还可用茎切段作微型扦插来繁殖，它的增殖速度也完全能满足快速繁殖的要求。方法是用各种再生途径产生的嫩茎为材料，培养其长到一定高度时，把它切成节段，一般是一叶为一段，然后将切断的基部插入增殖培养基中培养。28天后，腋芽即可长成新的小植株，重复上述的方法不断进行继代培养，从而达到快繁殖目的。生根培养在继代培养基中培养25～30天进行转瓶时，将那些生长正常，苗高达到2～3厘米的单株嫩茎切下，插到生根培养基中，7天后可形成有突起的淡绿色根原基，经过2周培养后，即可生根。菊花的生根非常容易，在多种生长素浓度下，乃至不加任何生长素的培养基上，都可以获得的生根效果。
菊花出瓶苗的标准时叶色浓绿，粗壮，苗高2～3厘米，有根且根系发达。经过渡培养的下地苗，则要求小苗叶色正常，浓绿，植株矮壮。
菊花在培养瓶中培养的温度适应范围较宽，在22℃～28℃都可以。但温度过低，会使苗质脆弱，生长速度延缓；温度过高培养基水分蒸发较快，致使植株还未分化到所需程度，就开始出现干萎。所以温度好在24℃～26℃之间。培养室光照每天12小时，光照在1000～4000勒克斯都可以生长，但是光照过弱会使幼苗出现徒长现象，茎软叶细弱，低质量的组培苗，出瓶后的过渡成活率也低。因此光照以2500～3000勒克斯为宜。用来生根的单株嫩茎必须有1～2厘米高，在生根培养基上生长15天后，苗高才能达到2～3厘米，有2~3条根长达1～2厘米的不定根。好生根率达后，才可出瓶炼苗。如若还有少部分植株未长出足够的根系时，可将瓶苗在上述环境培养条件下延缓几日，待其长出根系时再出瓶。
菊花的有根苗移栽成活容易，将有根的植株从瓶中用镊子轻轻夹出，洗净根部黏附的琼脂，栽入珍珠岩基质中。移栽前期将空气湿度保持在75%～85%之间，遮光率为40%，环境温度控制在20℃～26℃，就可使试管苗在20天左右移栽成活，并长出新根新叶。经1～2个月的管理，便可定植于富含腐殖质，经过灭菌处理的砂质壤土中。菊花喜欢微潮偏干的土壤环境，在定植时不必施用基肥，随着小苗对外界环境的适应，可每隔1～2周追稀液体肥料一次。由于菊花有忌高温、喜凉爽的习性，菊花试管苗定植后，不可接受过强的日光照射，应该采用先遮荫再逐渐增加光照的管理方法。由于菊花的过渡成活率比较高，所以有时也可以从瓶内出来就直接下地栽培。
